氮化硅可以在很高的溫度下，做退火的處理的，之后就可以轉(zhuǎn)成晶態(tài)粉末，目前二胺分解法在重要性方面是僅次于滲氮法的商品化生產(chǎn)氮化硅的方法。碳熱還原反應是制造氮化硅的最簡單途徑也是工業(yè)上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉積或者等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)制造的；如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：氮化硅的晶胞參數(shù)與單質(zhì)硅不同。因此根據(jù)沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產(chǎn)生張力或應力。